硅光电池特性测试实验报告

时间：2020-11-15 12:02:13 来源：蒲公英阅读网 本文已影响人

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　硅光电池特性测试实验报告

　 系别：电子信息工程系 班级：光电 08305 班 组长：祝李 组员：贺义贵、何江武、占志武 实验时间：2010 年 4 月 2 日 指导老师：王凌波

　 2010.4.6

　目

　录

　 一、实验目的

　二、实验内容

　三、实验仪器

　四、实验原理

　五、注意事项

　六、实验步骤

　七、实验数据及分析

　八、总结

　一、实验目的

　 1、学习掌握硅光电池的工作原理

　2、学习掌握硅光电池的基本特性

　3、掌握硅光电池基本特性测试方法

　4、了解硅光电池的基本应用

　 二、实验内容

　 1、硅光电池短路电路测试实验

　2、硅光电池开路电压测试实验

　3、硅光电池光电特性测试实验

　4、硅光电池伏安特性测试实验

　5、硅光电池负载特性测试实验

　6、硅光电池时间响应测试实验

　7、硅光电池光谱特性测试实验

　设计实验 1：硅光电池光控开关电路设计实验

　设计实验 2：简易光照度计设计实验

　 三、实验仪器

　 1、硅光电池综合实验仪

　 1 个

　2、光通路组件

　 1 只

　3、光照度计

　 1 台

　4、2#迭插头对（红色，50cm）

　10 根

　5、2#迭插头对（黑色，50cm）

　10 根

　6、三相电源线

　 1 根

　7、实验指导书

　 1 本

　8、20M 示波器

　 1 台

　 四、实验原理

　 1、硅光电池的基本结构

　目前半导体光电探测器在数码摄像﹑光通信﹑太阳电池等领域得到广泛应用，硅光电池是半导体光电探测器的一个基本单元，深刻理解硅光电池的工作原理和具体使用特性可以进一步领会半导体 PN 结原理﹑光电效应理论和光伏电池产生机理。

　 图 2-1 是半导体 PN 结在零偏﹑反偏﹑正偏下的耗尽区，当 P 型和N 型半导体材料结合时，由于 P 型材料空穴多电子少，而 N 型材料电子多空穴少，结果 P 型材料中的空穴向 N 型材料这边扩散，N 型材料中的电子向 P 型材料这边扩散，扩散的结果使得结合区两侧的 P 型区出现负电荷，N 型区带正电荷，形成一个势垒，由此而产生的内电场将阻止扩散运动的继续进行，当两者达到平衡时，在 PN 结两侧形成一个耗尽区，耗尽区的特点是无自由载流子，呈现高阻抗。当 PN 结 零偏 反偏 正偏 图 2-1. 半导体 PN 结在零偏﹑反偏﹑正偏下的耗尽区

　反偏时，外加电场与内电场方向一致，耗尽区在外电场作用下变宽，使势垒加强；当 PN 结正偏时，外加电场与内电场方向相反，耗尽区在外电场作用下变窄，势垒削弱，使载流子扩散运动继续形成电流，此即为 PN 结的单向导电性,电流方向是从 P 指向 N。

　 2

　硅光电池是一个大面积的光电二极管，它被设计用于把入射到它表面的光能转化为电能，因此，可用作光电探测器和光电池，被广泛用于太空和野外便携式仪器等的能源。

　光电池的基本结构如图 2-2，当半导体 PN 结处于零偏或反偏时，在它们的结合面耗尽区存在一内电场，当有光照时，入射光子将把处于介带中的束缚电子激发到导带，激发出的电子空穴对在内电场作用下分别飘移到 N 型区和 P 型区，当在 PN 结两端加负载时就有一光生电流流过负载。流过 PN 结两端的电流可由式 1 确定

　式（1）中 Is 为饱和电流，V 为 PN 结两端电压，T 为绝对温度，Ip 为产生的光电流。从式中可以看到，当光电池处于零偏时，V=0，）

　（1

　) 1 (pkTeVsI e I I   (2)

　i pRP I 图 2-2.光电池结构示意图

　流过 PN 结的电流 I=Ip；当光电池处于反偏时（在本实验中取 V=-5V），流过 PN 结的电流 I=Ip-Is，因此，当光电池用作光电转换器时，光电池必须处于零偏或反偏状态。光电池处于零偏或反偏状态时，产生的光电流 Ip 与输入光功率 Pi 有以下关系：

　3

　(1) 短路电流

　APN结电极AII(a) (b)硼扩散层SiO2膜P型电极N型硅片

　图 2-3 硅光电池短路电流测试

　如图 2-3 所示，不同的光照的作用下， 毫安表如显示不同的电流值。即为硅光电池的短路电流特性。

　 (2)开路电压

　VPN结电极VII(a) (b)硼扩散层SiO2膜P型电极N型硅片 图 2-4

　硅光电池开路电压测试

　如图 2-4 所示，不同的光照的作用下， 电压表如显示不同的电压值。即为硅光电池的开路电压特性。

　 (3) 光照特性

　 光电池在不同光照度下， 其光电流和光生电动势是不同的，它们

　之间的关系就是光照特性，如图 2-5。

　 图 2-5 硅光电池的光照电流电压特性

　 (4)伏安特性

　如图 2-6，在硅光电池输入光强度不变时，测量当负载一定的范围内变化时，光电池的输出电压及电流随负载电阻变化关系曲线称为硅光电池的伏安特性。

　VA 图 2-6 硅光电池的伏安特性测试

　 (5)负载特性(输出特性)

　光电池作为电池使用如图 2-7 所示。在内电场作用下，入射光子由于内光电效应把处于介带中的束缚电子激发到导带，而产生光伏电压，在光电池两端加一个负载就会有电流流过，当负载很小时，电流较小而电压较大；当负载很大时，电流较大而电压较小。实验时可改0.3

　0.2

　0.1

　0

　光

　生

　电

　流

　/

　m

　A

　0.6

　0.4

　0.2

　0

　2 000

　4 000

　短路电流

　开路电压

　光

　生

　电

　压

　/

　V

　光照度

　 /Lx

　变负载电阻 RL 的值来测定硅光电池的负载特性。

　图 2-7

　硅光电池负载特性的测定

　在线性测量中，光电池通常以电流形式使用，故短路电流与光照度（光能量）呈线性关系，是光电池的重要光照特性。实际使用时都接有负载电阻 RL，输出电流 IL 随照度（光通量）的增加而非线性缓慢地增加，并且随负载 RL 的增大线性范围也越来越小。因此，在要求输出的电流与光照度呈线性关系时，负载电阻在条件许可的情况下越小越好，并限制在光照范围内使用。光电池光照与负载特性曲线如图 2-8 所示。

　照度E/lx电流2.4K51010K 图 2-8 硅光电池光照与负载特性曲线

　 (5) 光谱特性

　一般光电池的光谱响应特性表示在入射光能量保持一定的条件下，光电池所产生短路电流与入射光波长之间的关系。一般用相对响

　应表示，实验中硅光电池的响应范围为 400~1100nm，峰值波长为800~900nm，由于实验仪器所提供的波长范围为 400~650nm，因此，实验所测出的光谱响应曲线呈上升趋势，如图 2-9 所示硅光电池频率特性曲线。

　4001200(nm) 800相对响应度1 图 2-9 硅光电池的光谱曲线

　 （6）时间响应与频率响应

　实验证明，光电器件的信号的产生和消失不能随着光强改变而立刻变化，会有一定的惰性，这种惰性通常用时间常数表示。即当入射辐射到光电探测器后或入射辐射遮断后，光电探测器的输出升到稳定值或下降到照射前的值所需时间称为响应时间。为衡量其长短，常用时间常数τ的大小来表示。当用一个辐射脉冲光电探测器，如果这个脉冲的上升和下降时间很短，如方波，则光电探测器的输出由于器件的惰性而有延迟，把从 10%上升到 90%峰值处所需的时间称为探测器的上升时间，而把从 90%下降到 10%所需的时间称为下降时间。如图所示

　0.10.91t 上t 下t(a)(b) 图 2-10 上升时间和下降时间

　（a）入射光脉冲方波（b）响应时间

　 五、注意事项

　 1、当电压表和电流表显示为“1＿”是说明超过量程，应更换为合适量程；

　2、连线之前保证电源关闭。

　3、实验过程中，请勿同时拨开两种或两种以上的光源开关，这样会造成实验所测试的数据不准确。

　 六、实验步骤

　 1、硅光电池短路电流特性测试

　实验装置原理框图如图 2-11 所示。

　图 2-11 硅光电池短路电流特性测试

　（1）组装好光通路组件，将照度计显示表头与光通路组件照度计探头输出正负极对应相连（红为正极，黑为负极），将光源调制单元 J4与光通路组件光源接口使用彩排数据线相连。

　（2）“光照度调节”调到最小，连接好光照度计，直流电源调至最小，打开照度计，此时照度计的读数应为 0。

　（3）“光源驱动单元”的三掷开关 BM2 拨到“静态”，将拨位开关 S1拨上，S2，S3，S4，S5，S6，S7 均拨下。

　（4）按图 2-11 所示的电路连接电路图

　（5）打开电源顺时针调节照度调节旋钮，使照度值依次为下表中

　的光照度值，分别读出电流表读数，填入下表，关闭电源。

　光照度（Lx）

　0

　100

　200

　300

　400

　500

　600

　光 生 电 流（uA）

　（6）上表中所测得的电流值即为硅光电池相应光照度下的短路电流。

　（7）实验完毕，关闭电源，拆除所有连线。

　 2、硅光电池开路电压特性测试

　实验装置原理框图如图 2-12 所示。

　 图 2-12 硅光电池开路电压特性测试

　（1）组装好光通路组件，将照度计显示表头与光通路组件照度计探头输出正负极对应相连（红为正极，黑为负极），将光源调制单元 J4与光通路组件光源接口使用彩排数据线相连。

　（2）“光照度调节”调到最小，连接好光照度计，直流电源调至最小，打开照度计，此时照度计的读数应为 0。

　（3）“光源驱动单元”的三掷开关 BM2 拨到“静态”，将拨位开关 S1拨上，S2，S3，S4，S5，S6，S7 均拨下。

　（4）按图 2-12 所示的电路连接电路图

　（5）打开电源顺时针调节照度调节旋钮，使照度值依次为下表中的光照度值，分别读出电压表读数，填入下表，关闭电源。

　（4）将“光照度调节”旋钮逆时针调节到最小值位置后关闭电源。

　光 照 度（Lx）

　0

　10

　20

　30

　40

　50

　100

　200

　300

　400

　500

　600

　光 生 电压（mA）

　（5）上表中所测得的电压值即为硅光电池相应光照度下的开路电压。

　（6）实验完毕，关闭电源，拆除所有连线。

　 3、硅光电池光照特性

　根据实验 1 和 2 所调试的实验数据，作出如图 2-5 所示的硅光电池的光照电流电压特性曲线。

　 4、硅光电池伏安特性

　实验装置原理框图如图 2-13 所示。

　 图 2-13 硅光电池伏安特性测试

　（1）组装好光通路组件，将照度计显示表头与光通路组件照度计探头输出正负极对应相连（红为正极，黑为负极），将光源调制单元 J4与光通路组件光源接口使用彩排数据线相连。

　（2）“光照度调节”调到最小，连接好光照度计，直流电源调至最小，打开照度计，此时照度计的读数应为 0。

　（3）“光源驱动单元”的三掷开关 BM2 拨到“静态”，将拨位开关 S1拨上，S2，S3，S4，S5，S6，S7 均拨下。

　（4）电压表档位调节至 2V 档，电流表档位调至 200uA 档，将“光照度调节”旋钮逆时针调节至最小值位置。

　（5）按图 2-13 所示的电路连接电路图，R 取值为 200 欧，打开电源顺时针调节照度调节旋钮，增大光照度值至 500lx。记录下此时的电压表和电流表的读数填入下表；

　（6）关闭电源，将 R 分别换为下表中的电阻值，重复上述步骤，分别记录电流表和电压表的读数，填入下表。

　（7）改变光照度为 100Lx、300Lx，重复上述步骤，将实验结果填入下表。

　100 lx：

　电阻

　200

　2K

　5.1K

　7.5K

　10K

　15K

　20K

　25K

　51K

　200K

　电流

　电压

　电阻

　200

　2K

　5.1K

　7.5K

　10K

　15K

　20K

　25K

　51K

　200K

　电流

　电压

　 （8）根据上述实验数据，在同一坐标轴中作出三种不同条件下的伏安特性曲线，并进行分析。

　（9）实验完毕，关闭电源，拆除所有连线。

　 5. 硅光电池负载特性测试实验

　（1）组装好光通路组件，将照度计显示表头与光通路组件照度计探头输出正负极对应相连（红为正极，黑为负极），将光源调制单元 J4与光通路组件光源接口使用彩排数据线相连。

　（2）“光照度调节”调到最小，连接好光照度计，直流电源调至最小，打开照度计，此时照度计的读数应为 0。

　（3）“光源驱动单元”的三掷开关 BM2 拨到“静态”，将拨位开关 S1拨上，S2，S3，S4，S5，S6，S7 均拨下。

　（4）电压表档位调节至 2V 档，电流表档位调至 200uA 档，将“光照度调节”旋钮逆时针调节至最小值位置。

　（5）按图 2-13 所示的电路连接电路图，R 取值为 2K 欧。

　（6）打开电源，顺时针调节“光照度调节”旋钮，逐渐增大光照度至 0Lx，100Lx，200Lx，300Lx，400Lx，500Lx，600lx 分别记录电流表和电压表读数，填入下表

　光 照 度（lx）

　0

　100

　200

　300

　400

　500

　600

　电 流

　（μA）

　电压（mV）

　（7）关闭电源，将 R 分别换为 510， 1K， 5.1K， 10K 重复上述步骤，分别记录电流表和电压表的读数，填入下表。

　R=510 欧

　光 照 度（lx）

　0

　100

　200

　300

　400

　500

　600

　电 流（μA）

　 电压（mV）

　 R=1K

　光 照 度（lx）

　0

　100

　200

　300

　400

　500

　600

　电 流（μA）

　 电压（mV）

　 R=5.1K

　光 照 度（lx）

　0

　100

　200

　300

　400

　500

　600

　电 流（μA）

　电压（mV）

　 R=10K

　光 照 度（lx）

　0

　100

　200

　300

　400

　500

　600

　电 流（μA）

　 电压（mV）

　（7）根据上述实验所测试的数据，在同一坐标轴上描绘出硅光电池的负载特性曲线,并进行分析。

　 6、硅光电池光谱特性测试

　当不同波长的入射光照到光电二极管上，光电二极管就有不同的灵敏度。本实验仪采用高亮度 LED（白、红、橙、黄、绿、蓝、紫）作为光源，产生 400～630nm 离散光谱。

　光谱响应度是光电探测器对单色入射辐射的响应能力。定义为在波长 的单位入射功率的照射下，光电探测器输出的信号电压或电流信号。即为

　) () () (PVv 或) () () (PIi  式中，) (  P为波长为  时的入射光功率；) (  V为光电探测器在入射光功率) (  P作用下的输出信号电压；) (  I则为输出用电流表示的输出信号电流。

　本实验所采用的方法是基准探测器法，在相同光功率的辐射下，则有

　 ) ( ) (  ffUUK  

　式中，fU为基准探测器显示的电压值，K 为基准电压的放大倍数，) ( f为基准探测器的响应度。取在测试过程中,fU取相同值,则实验所测测试的响应度大小由) ( ) (  fU  的大小确定.下图为基准探测器的光谱响应曲线。

　00.20.40.60.811.20 200 400 600 800 1000 1200 1400 图 2-14

　基准探测器的光谱响应曲线

　（1）组装好光通路组件，将照度计显示表头与光通路组件照度计探头输出正负极对应相连（红为正极，黑为负极），将光源调制单元 J4与光通路组件光源接口使用彩排数据线相连。

　（2）“光源驱动单元”的三掷开关 BM2 拨到“静态特性”，将拨位开关 S1，S2，S4，S3，S5，S6，S7 均拨下。

　（3）将直流电源 2 正负极直接与电压表相连，打开电源，调节电源电位器至电压表为 10V，关闭电源。

　（4）按如图 2-12 连接电路图.

　（5）打开电源，缓慢调节光照度调节电位器到最大，依次将 S2，S3，

　S4，S5，S6，S7 拨上后拨下，记下照度计读数最小时照度计的读数 E作为参考。

　（注意：请不要同时将两个拨位开关拨上）

　（6）S2 拨上，缓慢调节电位器直到照度计显示为 E，将电压表测试所得的数据填入下表，再将 S2 拨下；

　（7）重复操作步骤（6），分别测试出橙，黄，绿，蓝，紫在光照度E 下电压表的读数，填入下表。

　 （8）根据所测试得到的数据，做出硅光电池的光谱特性曲线。

　 7、硅光电池时间响应特性测试

　（1）组装好光通路组件，将照度计显示表头与光通路组件照度计探头输出正负极对应相连（红为正极，黑为负极），将光源调制单元 J4与光通路组件光源接口使用彩排数据线相连。

　（2）“光源驱动单元”的三掷开关 BM2 拨到“脉冲”，将拨位开关 S1拨上，S2，S3，S4，S5，S6，S7 均拨下。

　（3）按图 2-13 所示的电路连接电路图，负载 RL 选择 RL=2K 欧。

　波长（nm）

　红（630）

　 橙（605）

　黄(585)

　绿（520）

　蓝（460）

　紫（400）

　基准响应度

　0.65

　0.61

　0.56

　0.42

　0.25

　0.06

　电压（mV）

　响应度

　（4）示波器的测试点应为光电三极管的电阻两端，为了测试方便，可把示波器的测试点使用迭插头对引至信号测试区的 TP1 和 TP2；

　 图 2-13

　（5）打开电源，白光对应的发光二极管亮，其余的发光二极管不亮。用示波器的第一通道与接 TP 和 GND（即为输入的脉冲光信号），用示波器的第二通道接 TP2。

　（6）观察示波器两个通道信号，缓慢调节直流电源电位器直到示波器上观察到信号清晰为止，并作出实验记录（描绘出两个通道波形）。

　（7）缓慢调节脉冲宽度调节，增大输入脉冲的脉冲信号的宽度，观察示波器两个通道信号的变化，并作出实验记录（描绘出两个通道的波形）并进行分析。

　（8）实验完毕，关闭电源，拆除导线。

　 七、实验数据及分析

　 1、硅光电池短路电流特性测试数据

　 光照度（Lx）

　0

　100

　200

　300

　400

　500

　600

　光 生 电 流（uA）

　0.1 1

　 16.9 9

　 33.5 5

　 50.1 1

　 66.8 8

　 83.4 4

　 100.1

　2、硅光电池开路电压特性测试数据

　 3、硅光电池光照电流电压特性曲线

　 硅光电池的光照电流电压特性0204060801001200 100 200 300 400 500 600光照度/LX光生电流/uA050100150200250300350400450光生电压/mV

　 光 照 度（Lx）

　0

　10

　20

　30

　40

　50

　100

　200

　300

　400

　500

　600

　光 生 电压（mA）

　150 0

　 263 3

　 289 9

　 302 2

　 312 2

　 319 9

　 344 4

　 368 8

　 382 2

　 391 1

　 398 8

　 404 4

　 开路电压 短路电流

　 4、硅光电池伏安特性测试数据

　100 lx：

　300lx：

　 500 lx：

　电阻

　200

　2K

　5K

　7.5K

　10K

　20K

　50K

　200K

　电流（uA）

　17.1

　 17.0

　 17.0

　 17.0

　 17.0

　 14.1

　 6.5

　 1.7

　 电压(mV)

　20.6

　 51.6

　 104.3

　 148.4

　 187.1

　 270

　 310

　 320

　 电阻

　200

　2K

　5K

　7.5K

　10K

　20K

　50K

　200K

　电流（uA）

　50.9

　 50.8

　 47.9

　 38.6

　 31.9

　 17.4

　 7.3

　 1.9

　 电压(mV)

　61.4

　 153.7

　 260

　 310

　 320

　 3 3 36

　 340

　 350

　 电阻

　200

　2K

　5K

　7.5K

　10K

　20K

　50K

　200K

　电流（uA）

　84.8

　 83.9

　 57.9

　 42.6

　 34.4

　 18.4

　 7.6

　 1.9

　硅光电池伏安特牲0501001502002503003504004505000 20 40 60 80 100电流（uA）电压（mV）100LX300LX500LX

　5、硅光电池负载特性测试数据

　R=510 欧

　光 照 度（lx）

　0

　100

　200

　300

　400

　500

　600

　电 流（μA）

　0.1

　 16.7

　 33.2

　 50

　 66.6

　 83.2

　 99.8

　 电压（mV）

　0 0

　 25.5

　 50.8

　 76

　 101

　 127

　 152

　R=1K

　光 照 度 0

　100

　200

　300

　400

　500

　600

　电压(mV)

　102.2

　 220

　 320

　 340

　 360

　 420 0

　 430 0

　 430 0

　（lx）

　电 流（μA）

　0.1

　 16.7

　 33.2

　 49.9

　 66.5

　 82.9

　 99.2

　 电压（mV）

　0 0

　 33.3

　 66.3

　 99

　 132

　 165

　 197

　 R=5.1K

　光 照 度（lx）

　0

　100

　200

　300

　400

　500

　600

　电 流（μA）

　0.1

　 16.6

　 32.7

　 45.9

　 53

　 56.8

　 59.2

　 电压（mV）

　1.0

　 101.1 1

　 198. .3 3

　 278

　 321

　 344

　 359

　 R=10K

　光 照 度（lx）

　0

　100

　200

　300

　400

　500

　600

　电 流（μA）

　0.1

　 16.3

　 27.0

　 30.7

　 32.5

　 33.6

　 34.4

　 电压（mV）

　2.1

　 181.9 9

　 301

　 341

　 361

　 373

　 382

　硅光电池负载特性曲线0501001502002503003504004500 20 40 60 80 100 120电流（uA）电压（mV）510Ω1K10K5.1K

　6、硅光电池光谱特性测试数据

　 八、总结语

　 波长（nm）

　红（630）

　 橙（605）

　黄(585)

　绿（520）

　蓝（460）

　紫（400）

　基准响应度

　0.65

　0.61

　0.56

　0.42

　0.25

　0.06

　电压（mV）

　3 3 13

　 296

　 291

　 291

　 298

　 303

　 响应度